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摘要:
本文从半导体科学技术研究与诺贝尔物理学奖的渊源出发,详细解读了2014年诺贝尔物理学奖成果“高效GaN基蓝光发光二极管”的研究背景、核心创新内容、科学意义和应用价值,分析了氮化物宽禁带半导体的发展趋势.文章从3位诺贝尔物理学奖获得者的研究历程、诺贝尔评奖委员会的评奖标准等视角,探讨了2014年的诺贝尔物理学奖对我国物理学科建设、如何看待应用物理研究与基础物理研究的关系以及对成果评价标准的启示和借鉴价值等问题.
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文献信息
篇名 2014年诺贝尔物理学奖解读
来源期刊 科技导报 学科 物理学
关键词 氮化物宽禁带半导体 蓝光发光二极管 发展趋势 启示
年,卷(期) 2015,(4) 所属期刊栏目 本刊专稿
研究方向 页码范围 13-16
页数 4页 分类号 O472
字数 语种 中文
DOI 10.3981/j.issn.1000-7857.2015.04.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 葛惟昆 4 8 1.0 2.0
2 沈波 13 17 3.0 3.0
3 于彤军 4 6 2.0 2.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
氮化物宽禁带半导体
蓝光发光二极管
发展趋势
启示
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科技导报
半月刊
1000-7857
11-1421/N
大16开
北京市海淀区学院南路86号
2-872
1980
chi
出版文献量(篇)
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