重掺锑直拉单晶硅的掺氮效应

• 作者: 韩建超
• 来源期刊: 世界有色金属
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 技术进步
• 页码范围: 36-38
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

在集成电路用半导体硅材料中,由于锑具有很小的扩散系数,以Sb作为掺杂剂的N+衬底,生长外延层时几乎没有自掺杂,具有较窄的过渡区,表现出梯度陡的优势.因而,重掺Sb单晶硅是制作外延片的优质衬底材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩建超		3	1	1.0	1.0