碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究

• 作者: 刘奥 卫能 李赟 杨霏 柏松 汪玲 赵志飞 钮应喜 陈刚 陶永洪 黄润华
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: 界面态 碳化硅金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)电容 可靠性 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 理论研究
• 页码范围: 99-102
• 页数: 4页
• 分类号: TM23
• 字数: 3485字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2015.02.001

摘要

通过 TCAD 仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析；对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真，以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET)单胞结构参数进行优化；在N型碳化硅外延层上制作金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，MOS)电容，并且通过对MOS电容进行C-V测试的方法评估SiO2/SiC界面质量。对导带附近界面陷阱密度进行比较。NO退火的样品与干氧氧化样品相比界面质量明显改善，界面态密度小于5×1011 cm–2eV–1。