溅射时间对室温沉积ITO薄膜光电性能的影响

• 作者: 张勇 张塬昆 李永波 王明 贾增民 黄成亮
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 ITO薄膜 溅射时间 光电特性
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 1051-1055
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2343字
• 语种: 中文

摘要

利用对靶磁控溅射方法在尺寸为6 cm×6 cm有机玻璃衬底上室温沉积ITO透明导电氧化物薄膜,重点研究了沉积时间对于ITO薄膜导电性、可见光透光性以及红外发射特性的影响.结果发现随溅射时间延长,薄膜厚度呈线性增加;XRD分析显示薄膜逐渐由非晶结构转变为(400)与(440)取向的多晶结构;薄膜导电性能提高,电阻率整体迅速下降,在溅射时间为60 min时达到最小为2.1×10-4Ω·cm,载流子浓度达到最高值为1.2×1021 cm-3,同时薄膜红外发射率最低可达0.17;薄膜可见光透光率逐渐下降,并且在紫外光区域出现一定红移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张勇		2	5	2.0	2.0
2	黄成亮		5	19	2.0	4.0
3	李永波		4	17	2.0	4.0
4	王明		2	7	2.0	2.0
5	张塬昆		2	7	2.0	2.0
6	贾增民		3	3	1.0	1.0