Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

• 作者: 赵佶
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: DIODES 势垒 整流二极管 正向电压 电流脉冲 槽型 反向电压 Schottky 肖特基 反向漏电流
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 14-14
• 页数: 1页
• 分类号: TM461

摘要

【正】Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36kHz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。