Ru籽晶层对CoCrPt-SiO2垂直记录层形貌及结构的影响

• 作者: 周悓田 张俊敏 毕珺 沈月 王传军 谭志龙 闻明
• 来源期刊: 贵金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属材料 垂直磁记录介质 CoCrPt-SiO2 Ru籽晶层 薄膜结构 微观形貌
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 23-28
• 页数: 6页
• 分类号: O441.6
• 字数: 3242字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射方法，制备了惣不同厚度Ru薄膜为籽晶层的CoCrPt-SiO2垂直磁记录薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、透射电镜(TEM)分析 Ru 薄膜的结构和形貌，并悁究了其结构对CoCrPt-SiO2薄膜表面形貌、粗糙度及结构的愝响。结果表明，CoCrPt-SiO2记录层的晶粒尺寸和粗糙度均随着 Ru 籽晶层厚度的增加而增加，薄而粗糙的籽晶层适合于高密度磁记录介质。对于CoCrPt-SiO2记录层晶粒的优化，厚度为70 nm的Ru籽晶层有利于记录层薄膜晶粒的完全隔离，从而提高了磁记录性能。