掺杂浓度和温度对δ掺杂的AlxGa1-xAs/GaAs双量子阱系统电子态结构和子带间光学吸收系数的影响

• 作者: 杨双波 赵恒飞
• 来源期刊: 南京师大学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: AlxGa1-xAs/GaAs双量子阱 掺杂浓度 子带间线性光学吸收系数
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 23-29
• 页数: 7页
• 分类号: O413.1
• 字数: 4956字
• 语种: 中文

摘要

在有效质量近似下,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算了在温度不为零时δ掺杂的AlxGa1-xAs/GaAs双量子阱系统的电子态结构.研究了温度和掺杂浓度对双量子阱系统子带能级、费米能量、及子带间线性光学吸收系数的影响.研究发现,系统的本征能量随温度升高或随掺杂浓度的增大而增加;费米能量随温度升高而减小,随掺杂浓度的增大而增加;子带间总的吸收系数随温度的升高而减小,随掺杂浓度的增大而增加.除子带间跃迁3-＞6,4-＞5随温度升高线性光学吸收系数增加外,其他各主要子带间跃迁随温度升高线性光学吸收系数而减小;各子带间线性光学吸收系数随掺杂浓度的增大而增加.