InGaAs探测器总剂量辐照性能试验分析?

• 作者: 刘栋斌 孙振亚 张航 李帅 王文全
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAs探测器 损伤机理 总剂量辐射 暗电流 响应度
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 传感器研究
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.5
• 字数: 1561字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2015.01.004

摘要

针对Xenics公司的一款InGaAs探测器,根据载荷工作环境要求,轨道高度700km,在轨工作3年的总剂量辐射为2 krad( Si),技术指标要求探测器的抗总剂量辐射能力要在10 krad( Si)以上。因此对其进行总剂量为30 krad( Si)的60Co-γ辐射试验[1-2]。对比辐照前后探测器的参数变化,发现随着总剂量的增加,探测器的暗电流有所增大,响应度有所降低,整体性能略有下降,但满足指标要求。分析γ辐射对探测器影响的内在机理,为后续InGaAs探测器抗总剂量辐射加固提供依据和参考。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张航	吉林大学物理学院	13	58	5.0	7.0
3	李帅	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	30	196	8.0	13.0
4	王文全	吉林大学物理学院	31	67	4.0	5.0
5	刘栋斌	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	24	54	5.0	6.0
6	孙振亚	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	6	11	2.0	3.0