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摘要:
首先建立了阵列信号模型和二维方向图函数,然后对λ/2均匀分布的周期阵列、均匀稀布阵列与随机稀布阵列的方向图进行仿真,研究了阵列数目与最大旁瓣电平的关系.可以发现,随着阵元数目的增加,使最大旁瓣电平下降,但是阵元数目的大量增加,并未使最大旁瓣电平大幅降低,因此最大旁瓣电平与阵元数目具有非线性关系.
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文献信息
篇名 随机稀布阵列的二维方向图仿真
来源期刊 电子信息对抗技术 学科 工学
关键词 稀布阵列 方向图 旁瓣电平 线阵
年,卷(期) 2015,(6) 所属期刊栏目 天线技术
研究方向 页码范围 53-56
页数 4页 分类号 TN820.15
字数 1741字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1674-2230.2015.06.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吕东泽 2 0 0.0 0.0
2 王俐 2 0 0.0 0.0
3 龚军涛 3 15 2.0 3.0
4 鄢振麟 5 4 1.0 2.0
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研究主题发展历程
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稀布阵列
方向图
旁瓣电平
线阵
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电子信息对抗技术
双月刊
1674-2230
51-1694/TN
大16开
成都市茶店子429信箱011分箱
1986
chi
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