溅射工艺对D/M/D结构中SiNx介质膜光学常数的影响

• 作者: 孙瑶 汪洪
• 来源期刊: 航空材料学报
• 关键词: SiNx膜 Ag膜 折射率 椭偏仪 透光率
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 28-33
• 页数: 6页
• 分类号: V259|TQ531.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1005-5053.2015.4.005

摘要

采用射频反应溅射制备SiNx薄膜,作为以Ag膜为功能层的D/M/D结构透明导电膜中的电介质膜,并研究射频功率、气压以及N2流量对SiNx薄膜光学常数的影响.结果表明,SiNx薄膜具有非晶态结构,光学常数在300～ 2500nm波长范围内符合正常色散关系.椭偏测试及Cauchy模型拟合结果表明,折射率随功率、气压以及N2流量升高而降低,SiNx光学常数最佳的工艺条件为功率300W,气压0.16Pa,N2与Ar流量比例1∶1,此时薄膜折射率为2.02,消光系数为0,最接近具有化学计量比的Si3N4薄膜的光学常数.按此工艺制备的SiNx膜在优化厚度为44nm的条件下作为20nm厚度Ag膜的电介质膜,当只有表面SiNx膜时,Ag膜透光率由29.17％提高至55.01％,当Ag膜上下均制备SiNx膜时,透光率进一步提高至66.12％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙瑶		6	12	3.0	3.0
4	汪洪		20	35	3.0	5.0