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数值模拟提高μc-Si:H(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池的界面载流子传输质量
数值模拟提高μc-Si:H(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池的界面载流子传输质量
作者:
刘淑平
吕雁文
聂慧军
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
能带失配
界面传输质量
异质结
功函数
摘要:
通过使用AFORS-HET软件模拟透明导电膜(TCO)的功函数对能带结构的影响,以及能带失配的影响,载流子的运动和分布来分析和讨论界面处载流子传输性能.结果表明界面处的能带失配和透明导电膜的功函数强烈的影响载流子的传输质量和太阳能电池的性能.当导带失配在μc-Si:H(n)/c-Si(p)界面低于0.3eV,透明导电膜的功函数在TCO/μc-Si:H(n)界面低于4.3eV并且导带失配在c-Si(p)/BSF界面为0.25eV时,模拟具有纹理结构的TCO/μc-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si: H(p+)/TCO太阳能电池的Voc为775mV,Jsc为42.03mA/cm2,FF为75%,而效率达到了24.43%.这说明进一步深入的理解太阳能电池的界面传输机理可以提高太阳能电池界面载流子传输质量和电池效率.
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缺陷密度
内容分析
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文献信息
篇名
数值模拟提高μc-Si:H(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池的界面载流子传输质量
来源期刊
光电子技术
学科
工学
关键词
能带失配
界面传输质量
异质结
功函数
年,卷(期)
2015,(4)
所属期刊栏目
研究与试制
研究方向
页码范围
246-252
页数
7页
分类号
TM914.4
字数
4674字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘淑平
太原科技大学应用科学学院
28
44
4.0
5.0
2
聂慧军
太原科技大学应用科学学院
8
9
2.0
2.0
3
吕雁文
太原科技大学应用科学学院
9
24
3.0
4.0
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能带失配
界面传输质量
异质结
功函数
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
光电子技术
主办单位:
南京电子器件研究所
出版周期:
季刊
ISSN:
1005-488X
CN:
32-1347/TN
开本:
16开
出版地:
南京中山东路524号(南京1601信箱43分箱)
邮发代号:
创刊时间:
1981
语种:
chi
出版文献量(篇)
1338
总下载数(次)
4
总被引数(次)
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