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IBM以标准CMOS工艺打造三五族FinFET
IBM以标准CMOS工艺打造三五族FinFET
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摘要：
整体半导体产业正在尝试找到一种方法,不需要从硅基板转换而利用砷化铟镓(InGaAs)的更高电子迁移率,包括英特尔(Intel)与三星(Samsung);而IBM已经展示了如何利用标准CMOST艺技术来达成以上目标.
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节点文献
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制造工艺
CMOS
三五族
FinFET
研究起点
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研究去脉
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期刊影响力
集成电路应用
主办单位：
上海贝岭股份有限公司
出版周期：
月刊
ISSN：
1674-2583
CN：
31-1325/TN
开本：
16开
出版地：
上海宜山路810号
邮发代号：
创刊时间：
1984
语种：
chi
出版文献量（篇）
4823
总下载数（次）
15
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