AlN单晶生长热场稳定性模拟

• 作者: 史月增 张丽 程红娟 齐海涛
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多物理场耦合 AlN单晶 物理气相传输法 热场分布 稳定性
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 621-625
• 分类号: TN304.23|TN304.02
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.08.013

摘要

借助多物理场耦合软件模拟了物理气相传输法AlN单晶生长系统中的热场分布.探讨了生长不同厚度晶体的系统内部热场分布,并与实际生长不同厚度晶体的表面形貌进行比对.模拟结果表明,随着晶体厚度的增大,生长系统内部的轴向温度梯度出现不同程度的降低.晶体表面的径向温度曲线逐渐变为微凸界面,这与实际单晶厚度增大时表面形貌的变化趋势基本一致.另外模拟了多晶AlN源的升华收缩对热场分布稳定性的影响.结果表明,多晶AlN源收缩导致系统稳定性下降.通过分析不同电流下的热场分布结果,提出改善系统稳定性的措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程红娟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	44	47	4.0	5.0
2	张丽	中国电子科技集团公司第四十六研究所	19	44	3.0	5.0
3	齐海涛	中国电子科技集团公司第四十六研究所	20	30	3.0	4.0
4	史月增	中国电子科技集团公司第四十六研究所	11	16	3.0	3.0