MTM反熔丝单元的总剂量效应研究

• 作者: 徐海铭 王栩 郑若成
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: MTM 反熔丝 总剂量
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 35-38,48
• 页数: 5页
• 分类号: TN306
• 字数: 3367字
• 语种: 中文

摘要

对单个MTM（Metal-to-Metal）反熔丝单元的总剂量辐照效应进行了研究，模拟可编程器件实际应用环境，通过对不同尺寸、不同状态的MTM反熔丝单元在不同的偏置情况下进行总剂量辐照（总剂量达2 Mrad(Si)），得到MTM反熔丝单元关键参数随总剂量的变化情况。通过实验及数据分析，最终得到结论：MTM反熔丝单元不会因总剂量辐照而发生状态翻转。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑若成		20	44	4.0	5.0
2	徐海铭		11	14	2.0	3.0
3	王栩		3	8	2.0	2.0