动态应力对AlGaN/GaN HEMT性能的影响

• 作者: 冯士维 刘琨 张亚民 朱慧 石磊 郭春生
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 交变应力 电学特性 kink效应 缺陷
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 626-630
• 分类号: TN386|TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.08.014

摘要

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在实际应用过程中经常受到由于振动、热胀冷缩等原因引起的动态应力.为了研究动态应力对器件性能带来的影响,利用自主设计的应力机械装置对AlGaN/GaN HEMT芯片持续施加峰值大小为150 MPa,频率为3 Hz的交变应力.施加应力过程中,每隔一定的应力周期对器件进行电学特性测量,得到了不同应力周期下的输出特性曲线和转移特性曲线.研究分析了随着应力周期的增加输出电流和跨导的变化,研究结果表明,器件的输出电流和跨导随着施加动态应力周期的增加而减小.随着动态应力的加载,器件将产生缺陷,是器件发生退化的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭春生	北京工业大学电子信息与控制工程学院	44	302	10.0	15.0
2	冯士维	北京工业大学电子信息与控制工程学院	59	438	12.0	18.0
3	朱慧	北京工业大学电子信息与控制工程学院	8	22	3.0	4.0
4	石磊	北京工业大学电子信息与控制工程学院	18	99	4.0	9.0
5	刘琨	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	3	1.0	1.0
6	张亚民	北京工业大学电子信息与控制工程学院	8	27	3.0	5.0