GaAs PHEMT工艺V波段有源二倍频器MMIC

• 作者: 吴永辉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) V波段 倍频器 马逊巴伦 单片微波集成电路(MMIC)
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 481-484,493
• 分类号: TN43|TN771
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.07.001

摘要

基于标准GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一个输出频率在V波段的有源二倍频器单片微波集成电路(MMIC),实现了高输出功率和良好的谐波抑制特性.芯片内部集成了180°马逊巴伦、对管变频和输出功率放大器等电路.重点优化设计了马逊巴伦的版图结构,在宽带内具有良好的相位和幅度特性;分析了对管变频结构电路的原理,确定其最佳工作电压在压断电压附近;设计了V波段两级放大器电路,对带内信号放大的同时抑制了带外谐波信号,提高了整个倍频器的输出功率.芯片采用微波探针台在片测试,在外加3.5V电源电压下的工作电流为147 mA;输入功率为14 dBm时,在55～ 65 GHz输出带宽内的输出功率为13 dBm;带内基波抑制大于20 dBc,芯片面积为2.1 mm×1.3 mm.此倍频器MMIC可应用于V波段通信系统和微波测量系统.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴永辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	9	2.0	3.0