基于临界导通模式的功率因数校正芯片设计

• 作者: 付园园 张国辉 徐江涛 王彬 高静
• 来源期刊: 南开大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 临界导通模式 升压型 功率因数校正 电压控制环路 零电流检测
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 41-48
• 页数: 8页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

针对中等功率电器功率因数校正的需要,设计了一种基于临界导通模式的升压型(boost)功率因数校正芯片.该芯片集成可编程过压保护、可编程限流保护等多种保护电路,内设待机功能和自启动电路,通过电压控制环路和零电流检测电路实现了临界导通模式控制策略,固定升压输出.当负载为轻载时,通过将芯片的ZCD引脚接地,从而令芯片进入待机状态,减小了功率损耗.电路采用0.4 μm BCD工艺,芯片面积为1.186 mm×1.172 mm.仿真结果表明:输入电流接近正弦波并与输入电压同相位,实现了功率因数校正的目的;在12 V供电电压下,芯片静态功耗约为31mW.芯片已经成功流片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高静		48	284	9.0	15.0
2	徐江涛		78	323	11.0	14.0
3	张国辉		5	12	2.0	3.0
4	王彬		22	112	7.0	10.0
5	付园园		2	0	0.0	0.0