功率MOSFET器件稳态热阻测试原理及影响因素

• 作者: 康锡娥
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 热阻测试原理 测试电流 校准系数 参考结温 测试夹具
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 16-18,48
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 2779字
• 语种: 中文

摘要

热阻值是评判功率MOSFET器件热性能优劣的重要参数，因此热阻测试至关重要。通过对红外线扫描、液晶示温法、标准电学法3种热阻测试方法比较其优缺点，总结出标准电学法测试比较适合MOSFET热阻测试。在此基础上依据热阻测试系统Phase11，阐述功率MOSFET热阻测试原理，并着重通过实例对标准电学法测试热阻的影响因素测试电流Im、校准系数K、参考结温Tj 以及测试夹具进行了具体分析，总结出减少热阻测试误差的方法，为热阻的精确测试以及器件测试标准的制定提供依据。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康锡娥		7	15	2.0	3.0