GaN与Si器件作为辐伏电池换能单元性能比较

• 作者: 刘业兵 杨玉青 熊晓玲 王关全 罗顺忠 胡睿
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 辐伏同位素电池 GaN器件 Si器件 电输出性能
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 核电子学与仪器
• 页码范围: 22-26
• 页数: 5页
• 分类号: TL82
• 字数: 2382字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11889/j.0253-3219.2015.hjs.38.020401

摘要

利用63Ni和3H源等分别辐照两种可作为辐伏电池换能单元的GaN基和Si基PiN结型器件,比较了他们的输出电性能结果,以及两种器件的温度、辐照性能等.结果表明,GaN器件开路电压Voc比Si基器件有非常明显的提高,而短路电流Isc有较大下降;GaN基结型器件在高温和高能辐照条件下的性能比Si基结型器件有较大优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗顺忠	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	163	805	12.0	20.0
2	王关全	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	46	136	6.0	9.0
3	熊晓玲	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	25	70	5.0	7.0
4	杨玉青	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	42	95	5.0	7.0
5	胡睿	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	36	108	6.0	8.0
6	刘业兵	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	9	10	1.0	3.0