阳极电解制备n型多孔硅及光反射特性的影响研究

• 作者: 何梦娇 孙羽涵 孙艳 赵景勇 钟宜霏 闫康平
• 来源期刊: 成都大学学报（自然科学版）
• 关键词: 阳极氧化 n型多孔硅 反射率
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 现代制造技术
• 页码范围: 399-403
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31|TN304.1+2
• 语种: 中文

摘要

采用双槽电化学阳极蚀刻法制备了n型多孔硅,并用带积分球的光度分光计测试了多孔硅的光反射率.研究了蚀刻电流密度、蚀刻时间和HF浓度等对多孔硅孔隙率和反射率的影响规律.结果表明:随着电流密度和蚀刻时间的增加,多孔硅表观孔隙率增加;多孔层的存在能显著降低反射率,且较小的电流密度和蚀刻时间,更有利于反射率降低;电流密度10 mA·cm-2制备的多孔硅平均反射率降低到9％,蚀刻时间10 min下制备的多孔硅平均反射率降至5％;HF浓度对反射率的影响不大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫康平	四川大学化学工程学院	95	356	10.0	15.0
2	孙艳	成都大学机械工程学院	21	34	3.0	5.0
3	何梦娇	四川大学化学工程学院	3	2	1.0	1.0
4	孙羽涵	四川大学化学工程学院	3	8	2.0	2.0
5	钟宜霏	四川大学化学工程学院	4	2	1.0	1.0
6	赵景勇	四川大学化学工程学院	3	11	2.0	3.0