GaAs过时了CMOS工艺将主宰移动互联网和物联网时代

• 作者: 季建平
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 物联网 射频前端 晶圆代工厂 SiGe 副总裁 供应链 砷化镓 千兆位 ATMEL 无线解决方案
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（1）
• 页码范围: 28-28
• 页数: 1页
• 分类号: TN405

摘要

【正】RFaxis公司副总裁钱永喜认为传统采用GaAs(砷化镓)或SiGe(硅锗)BiCMOS工艺制造RF射频前端的时代"该结束"了,纯CMOS工艺RF前端IC将在未来十年内主宰消费电子的时代。CMOS工艺的技术难度已经被解决,且具有产能优势。产能是他看好CMOS PA的另一个优势。2013年,全球晶圆代工厂的总营收为430亿美金,而GaAs的代工总额仅为10亿,GaAs PA器件的销售总额也已停滞不前。考虑到只有追随主流工艺才有成本下降空间,因此,RF工艺从GaAs/SiGe转向CMOS是不可逆的,这将解决历史性的供应链瓶颈难题。