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摘要:
【正】RFaxis公司副总裁钱永喜认为传统采用GaAs(砷化镓)或SiGe(硅锗)BiCMOS工艺制造RF射频前端的时代"该结束"了,纯CMOS工艺RF前端IC将在未来十年内主宰消费电子的时代。CMOS工艺的技术难度已经被解决,且具有产能优势。产能是他看好CMOS PA的另一个优势。2013年,全球晶圆代工厂的总营收为430亿美金,而GaAs的代工总额仅为10亿,GaAs PA器件的销售总额也已停滞不前。考虑到只有追随主流工艺才有成本下降空间,因此,RF工艺从GaAs/SiGe转向CMOS是不可逆的,这将解决历史性的供应链瓶颈难题。
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文献信息
篇名 GaAs过时了CMOS工艺将主宰移动互联网和物联网时代
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 物联网 射频前端 晶圆代工厂 SiGe 副总裁 供应链 砷化镓 千兆位 ATMEL 无线解决方案
年,卷(期) bdtxx_2015,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 28-28
页数 1页 分类号 TN405
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研究主题发展历程
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物联网
射频前端
晶圆代工厂
SiGe
副总裁
供应链
砷化镓
千兆位
ATMEL
无线解决方案
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
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11
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