数值仿真在江苏华创IGBT芯片设计和制造中的应用

• 作者: 张世勇 王思亮 胡强
• 来源期刊: 东方电气评论
• 学科: 工学
• 关键词: 数值仿真 IGBT Silvaco 芯片 终端设计 击穿电压
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 分类号: TN323
• 字数: 2969字
• 语种: 中文

摘要

绝缘栅双极晶体管(IGBT)是新能源变频领域的核心器件[1],研发的过程中,数值仿真一直是重要的一环.为了减少研发成本、增加可靠性,本文使用Silvaco数值仿真软件,首先通过现有的产品建立准确的IGBT物理模型,再根据模型中的参数完成了以下工作:(1)对场限环和场版复合型IGBT终端结构设计进行指导,通过改变场版宽度和场限环数量,避免了终端设计缺陷引起电场扩散过快,导致击穿电压下降的问题,实验结果和数值仿真一致;(2)对现有设计结构不同工艺进行预测,评估了工艺改变对器件性能特性变化的影响,数值仿真和失效分析的结论一致指出了工艺条件的缺陷,指出可以降低推进时间来增加击穿电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡强		7	31	2.0	5.0
2	王思亮		6	19	2.0	4.0
3	张世勇		7	31	2.0	5.0