基于InGaAs/InP APD的单光子探测器设计与实现

• 作者: 曹秋玲 汪科 高家利
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单光子探测器 雪崩光电二极管 FPGA 光子探测效率 暗计数率
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 131-134
• 页数: 4页
• 分类号: O439|TP11
• 字数: 1518字
• 语种: 中文

摘要

针对现有单光子探测器模块价格昂贵和电路复杂的不足,设计了基于InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)的便携式单光子探测器,给出了APD门控驱动信号和雪崩信号鉴别电路的设计方案,门控信号的产生和雪崩信号的提取由FPGA完成.实验结果表明:在200 MHz门控条件且制冷温度为-55℃时,探测器的最大光子探测效率(PDE)约为20％,当探测效率为16％时,暗计数率(DCR)约为7.2×10-6/ns.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高家利	重庆理工大学工程训练与经管实验中心	13	22	2.0	3.0
2	汪科	重庆理工大学工程训练与经管实验中心	8	20	3.0	3.0
3	曹秋玲	重庆理工大学工程训练与经管实验中心	2	2	1.0	1.0