激光热效应对CCD探测响应过程的影响

• 作者: 于醒 刘国栋 张蓉竹
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷耦合器 红外激光 热效应 暗电流 探测
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 激光技术与应用
• 页码范围: 41-46
• 分类号: TN249
• 语种: 中文

摘要

采用1.319μm和1.064 μm连续激光辐照硅基CCD,分析了红外激光入射引起的热效应导致的CCD材料的温度分布.计算结果表明随着温度的升高,暗电流不断增大,当温度超过340 K时,增大速度显著上升,暗电流噪声增大到可与串音阈值比拟.建立了不同功率密度激光入射CCD时探测响应模型,比较理想情况和热效应影响下探测响应模拟图.结果表明:由于激光辐照热效应引起的温度升高,进而引起暗电流噪声增大,严重影响CCD的成像效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张蓉竹	四川大学电子信息学院	107	573	10.0	20.0
2	刘国栋	中国工程物理研究院流体物理研究所	17	74	5.0	8.0
3	于醒	四川大学电子信息学院	1	4	1.0	1.0