SRAM中器件参数的设计方法

• 作者: 徐政 李红征 赵文彬
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 静态随机存储器 参数匹配 工艺角
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 页码范围: 43-47
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 3276字
• 语种: 中文

摘要

为了解决含有SRAM产品转线时器件参数匹配的问题，首先对晶圆制造厂提供的SPICE模型，使用BSIMPROPLUS软件提取出SRAM单元中器件的阈值、饱和电流、漏电等参数，然后使用提取出的器件参数计算出SRAM单元在不同工艺角的翻转电压、功耗、读写裕度，比较得到最优工艺角。以0.13μm技术节点[1]单端口SRAM和双端口SRAM为例，计算了SRAM单元在不同工艺角下的翻转电压、功耗、读写裕度，得出SNFP工艺角为最优工艺条件，对于1.2 V电源电压，驱动管、负载管、传输管的阈值为0.33 V时SRAM单元的功耗和读写裕度最优。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐政		14	17	3.0	3.0
2	赵文彬		9	10	2.0	2.0
3	李红征		7	13	3.0	3.0