3C-SiC薄膜小角晶界附近位错核心的原子组态研究?

• 作者: 崔彦祥 李方华 王玉梅
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 解卷处理 小角晶界 位错核心结构 3C-SiC
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 046801-1-046801-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.046801

摘要

用LaB6灯丝200 kV高分辨透射电镜拍摄了有小角晶界的3C-SiC/(001)Si薄膜的[1ˉ10]高分辨电子显微像.用像解卷技术把本不直接反映晶体结构的实验像转化为结构像.首先，从完整区的结构像中分辨开间距仅为0.109 nm的Si和C原子柱；随后按赝弱相位物体近似像衬理论，分析像衬随晶体厚度的变化规律，辨认出Si和C原子；进而在原子水平上得出小角晶界附近两个复合位错的核心结构，构建了结构模型并计算了模拟像.实验像与模拟像的一致程度验证了结构模型的正确性.于是，在已知完整晶体结构的前提下，仅从一帧实验高分辨像出发，推演出原子的种类和位错核心的原子组态.还讨论了3C-SiC 小角晶界的形成与晶界附近出现复合位错的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李方华	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	31	48	4.0	5.0
2	王玉梅	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	16	190	6.0	13.0
3	崔彦祥	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	1	1	1.0	1.0