快中子临界装置大厅辐射屏蔽门研制及性能验证

• 作者: 周静 尹延朋 杜金峰 杨成德 范晓强 邹德慧
• 来源期刊: 同位素
• 学科: 工学
• 关键词: 快中子临界装置 屏蔽门 中子 光子 分层分次工艺
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 放射性同位素及应用技术
• 页码范围: 98-106
• 页数: 9页
• 分类号: TL93+1
• 字数: 5188字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/tws.2015.28.02.0098

摘要

为提升快中子临界装置的实验能力，在实验大厅旁边扩建了附属建筑物，在实体连接位置形成了一个样品传输通道。为了保证工作人员的辐射安全，需要对通道进行屏蔽。采用蒙特卡罗方法进行屏蔽门的物理设计，确定了含硼石蜡为中子屏蔽材料，不锈钢为光子屏蔽材料。为保证硼在石蜡层上的均匀分布，防止石蜡内部形成空洞，采用了分层分次工艺进行屏蔽门浇铸。为保证屏蔽门对通道的有效覆盖，采用了分步工艺进行安装。辐射剂量监测结果表明，人员日常工作区域的辐射有效剂量为0.125 mSv／a ，小于建设项目管理目标值2 mSv／a ，远小于《电离辐射防护与辐射源安全基本标准》规定的放射性工作人员年剂量限值20 mSv／a ，屏蔽门的研制满足设计和使用要求。