FDTD优化a-Si∶H薄膜太阳电池Si3N4纳米柱陷光结构

• 作者: 刘海 延玲玲 白一鸣 陈吉堃 陈诺夫
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 有限时域差分(FDTD)法 Si3N4纳米柱 氢化非晶硅薄膜太阳电池 陷光结构 吸收增强比
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 421-426
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.07.003

摘要

采用有限时域分析法研究了采用电介质Si3N4纳米柱为氢化非晶硅薄膜太阳电池的陷光结构时,其光吸收增强的情况.实验结果表明,电介质Si3N4纳米柱为氢化非晶硅薄膜太阳电池的陷光结构时,不仅可以增加吸收率和加宽吸收谱范围,而且在短波长范围内的吸收高于金属纳米颗粒.对于80 nm和100 nm厚的氢化非晶硅薄膜太阳电池,当达到最大吸收增强比1.60和1.53时,对应的电介质Si3N4纳米柱高度分别为90和95 nm.当Si3N4纳米柱的直径D=160 nm,间距P=240 nm,高度H=90 nm,而氢化非晶硅薄膜太阳电池的厚度在70～120 nm变化时,吸收增强比在厚度为100 nm时达到最大值1.60.总之,可以通过优化Si3N4纳米柱的尺寸来提高电池的转换效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘海	华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室	6	12	2.0	3.0
2	陈诺夫	华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室	22	33	3.0	4.0
3	白一鸣	华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室	20	35	3.0	4.0
4	陈吉堃	华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室	2	3	1.0	1.0
5	延玲玲	华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室	5	10	2.0	3.0