SiC混合IGBT器件应用研究

• 作者: 唐威 张东辉 忻力 欧阳柳 陈玉其 魏海山
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC功率器件 混合IGBT 驱动技术 功率试验
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 变流与控制
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13889/j.issn.2095-3631.2015.02.008

摘要

SiC功率器件具有高频、高效率、高功率、耐高温、抗辐射等优点.文章介绍了目前SiC功率器件应用情况,阐述了SiC pn结肖特基势垒(JBS)、SiC-MOSFET以及SiC混合IGBT的特性,分析了应用于1 700 V SiC混合IGBT的可编程驱动技术;最后简述了SiC模块功率试验情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张东辉		3	0	0.0	0.0
2	欧阳柳		5	5	1.0	2.0
3	魏海山		4	0	0.0	0.0
4	忻力		9	57	3.0	7.0
5	陈玉其		2	9	1.0	2.0
6	唐威		1	0	0.0	0.0