GaAs基高功率半导体激光器单管耦合研究

• 作者: 刘素平 吴霞 朱凌妮 王翠鸾 王鑫 马骁宇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 光纤耦合 亮度
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1018-1021
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1872字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153609.1018

摘要

设计了一种高亮度、高功率半导体激光器单管耦合输出模块,采用波长为975 nm的10 W的GaAs基半导体激光器,将半导体激光器输出光束耦合进数值孔径0.18、纤芯直径105μm的光纤中,获得10 A电流下的输出功率为9.37 W,耦合效率为94.3%,亮度为1.64 MW/(cm2·str)。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王鑫	中国科学院半导体研究所	106	958	17.0	28.0
2	马骁宇	中国科学院半导体研究所	93	616	12.0	21.0
3	王翠鸾	中国科学院半导体研究所	13	48	5.0	6.0
4	刘素平	中国科学院半导体研究所	37	253	7.0	15.0
5	吴霞	中国科学院半导体研究所	22	161	6.0	12.0
6	朱凌妮	中国科学院半导体研究所	3	15	2.0	3.0