二氧化硅源对活性氧化镁水化的抑制机制

• 作者: 张雨 李亚伟 桑绍柏
• 来源期刊: 耐火材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化镁 水化 硅酸钠
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 264-268
• 页数: 5页
• 分类号: TQ175.1+2
• 字数: 3493字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1935.2015.04.006

摘要

为了探明不同二氧化硅源对抑制 MgO 水化的机制，以 d50为6．119μm 的活性氧化镁粉为主要原料， d50＝0．111μm 的纳米 SiO2粉和硅酸钠为二氧化硅源，在25℃恒温条件下制备了水与固体粉质量比为81的氧化镁－氧化硅悬浮液，借助 pH 仪、电感耦合等离子体发射光谱仪、X 射线衍射仪及热重－差热仪等设备并结合热力学分析探讨了纳米 SiO2粉、Na2 SiO3对悬浮液中活性氧化镁水化的抑制作用。结果表明：随着纳米 SiO2粉引入量（w）由20％增加到60％，活性氧化镁的水化程度降低；添加0．3％～0．6％（w）硅酸钠可以有效抑制活性氧化镁的水化，当添加量为0．6％（w）时，活性氧化镁的水化率最低；添加 Na2 SiO3能显著增加悬浮液中 SiO2－3的质量浓度，同时使该悬浮液的 pH 升高到11．4～12．0，从而有效抑制氢氧化镁的生成。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李亚伟	武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室	106	647	12.0	20.0
2	张雨	武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室	4	17	2.0	4.0
3	桑绍柏	武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室	34	95	5.0	7.0