一种高性能带隙基准电压源设计

• 作者: 张沁枫 杨霄垒 蒋颖丹
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 CMOS 温度系数 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2549字
• 语种: 中文

摘要

对比分析传统的CMOS带隙基准电压源电路结构，基于一阶温度补偿设计一种高性能带隙基准电压源。电路采用基本差分放大器作为电路负反馈运放，运放输出用作PMOS电流源偏置，提高共模抑制比。Spectre仿真结果显示在-55~125℃温度范围内温度系数为4.18×10-6/℃，低频下电源抑制比达到-94 dB。在SMIC 65 nm CMOS工艺下，芯片面积为0.5×0.1 mm2，功耗为0.56 mW。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨霄垒		6	22	4.0	4.0
2	蒋颖丹		7	10	2.0	3.0
3	张沁枫		3	7	2.0	2.0