一种改善三栅分栅快闪存储器耐久性能的方法

• 作者: 戴敏洁 曹子贵 王卉 程凯 高超 黄浩
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 闪存储器 三栅分栅 F-N隧穿 耐久性 动态 擦除电压
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 759-763,774
• 分类号: TP333
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.10.007

摘要

基于三栅分栅闪存在擦除操作F-N隧穿停止时界面电场恒定的特性,提出一种动态擦除电压模型,该模型基于稳定循环操作后浮栅电位的理念,通过实时可监测的浮栅电位值来动态调节闪存器件擦除操作的工作电压,提升了三栅分栅闪存器件的耐久特性.从实际监测数据可以看出,为保持稳定的浮栅电位,浮栅擦除操作电压随着编程/擦除循环次数先快速增加,并在循环10 000次后逐渐趋于饱和.相对于传统的恒擦除电压方式,通过这种新的动态擦除电压方式,器件在经过100 000次循环编程/擦除后阈值电压的漂移从原始1.2V降低为小于0.4V,优化了器件耐久性的工作窗口约0.8V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹子贵		2	0	0.0	0.0
2	戴敏洁		1	0	0.0	0.0
3	高超		1	0	0.0	0.0
4	黄浩		1	0	0.0	0.0
5	王卉		1	0	0.0	0.0
6	程凯		1	0	0.0	0.0