Al/CuO复合半导体桥静电安全性研究

• 作者: 刘虎 周彬 李勇 王榴
• 来源期刊: 火工品
• 关键词: 半导体桥 Al/CuO纳米复合薄膜 静电安全 电爆参数
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 6-9
• 页数: 4页
• 分类号: TJ450.1
• 语种: 中文

摘要

为了研究Al/CuO复合半导体桥(简称Al/CuO-SCB)的静电安全性,分别对不同桥型的Al/CuO-SCB进行静电放电实验及研究.结果发现:在500pF、5kΩ、25kV静电放电条件下,不同桥型的A1/CuO-SCB均未发火;小尺寸的Al/CuO-SCB在相同静电作用下桥膜容易受到损伤,并且经过静电放电后的AFCuO-SCB的爆发时间和爆发所需能量均没有发生显著性差异.比较A1/CuO-SCB和未加Al/CuO含能薄膜层的半导体桥静电实验结果,得出Al/CuO含能薄膜层没有影响半导体桥的静电安全性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周彬	南京理工大学化工学院	53	505	12.0	20.0
2	李勇	南京理工大学化工学院	15	63	5.0	7.0
3	王榴	南京理工大学化工学院	2	0	0.0	0.0
4	刘虎		1	0	0.0	0.0