溶剂蒸汽退火法制备有机小分子半导体单晶

• 作者: 吴君辉 江雷 王哲 袁艺 高明圆
• 来源期刊: 化学学报
• 关键词: 有机半导体 单晶 溶剂蒸汽退火
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 23-28
• 语种: 中文
• DOI: 10.6023/A14110806

摘要

溶剂蒸汽退火(Solvent Vapor Annealing,SVA)是一种经济高效的小分子半导体晶体生长制备方法.本工作通过该方法制备出了多种小分子有机半导体单晶,通过偏光显微镜,XRD,TEM和AFM对得到的单晶的形貌和晶体结构进行了表征.此外,我们对退火所用溶剂的溶解度、蒸汽退火的环境温度和聚合物介质的引入等影响因素进行了讨论.研究发现,SVA过程中随着退火溶剂对有机半导体的溶解度增大,得到的晶体尺寸也随之增大;此外,当退火温度升高,晶体生长速度加快,但当温度接近溶剂蒸汽的沸点时,晶体极易产生缺陷;聚合物的引入可以大大促进SVA进程,并且生长得到的有机半导体单晶缺陷更少,尺寸更大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁艺	北京航空航天大学化学与环境学院	3	59	2.0	3.0
2	王哲	北京航空航天大学化学与环境学院	17	75	5.0	8.0
3	江雷	北京航空航天大学化学与环境学院	30	271	8.0	16.0
4	吴君辉	北京航空航天大学化学与环境学院	1	2	1.0	1.0
5	高明圆	北京航空航天大学化学与环境学院	1	2	1.0	1.0