KIO4和FA/O螯合剂对铜钌CMP的影响

• 作者: 周建伟 安卫静 武鹏 段波 王娟 王帅 王辰伟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光(CMP) 抛光液 去除速率 氧化剂 电偶腐蚀
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 666-670,684
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.10.010

摘要

在工作压力为2 psi(1 psi =6894.76 Pa)、抛光头转速为60 r/min、抛光盘转速为65 r/min、流量为150 mL/min的条件下,对3英寸(1英寸=2.54 cm)的Ru和Cu进行化学机械抛光实验,研究了氧化剂和FA/O螯合剂对Ru化学机械抛光速率以及对Cu和Ru的速率选择比的影响.实验结果表明:KIO4的使用可以大大提高Ru的去除速率,并且当KIO4的浓度为0.02 mol/L,FA/O螯合剂的浓度为3 mL/L时,Cu和Ru之间有很好的速率选择比.此外,通过电化学方法对Cu和Ru表面的腐蚀情况进行了分析研究.结果表明,当KIO4的浓度达到0.02 mol/L时,Cu片和Ru片表面的腐蚀基本不变,并且FA/O螯合剂的加入能略微缓解Cu和Ru之间的电偶腐蚀现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王娟	河北工业大学微电子研究所	40	220	8.0	12.0
2	周建伟	河北工业大学微电子研究所	40	197	8.0	11.0
3	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
4	王帅	河北工业大学微电子研究所	9	10	2.0	3.0
5	安卫静	河北工业大学微电子研究所	2	9	2.0	2.0
6	武鹏	河北工业大学微电子研究所	3	15	2.0	3.0