外加直流电场对脑卒中大鼠侧脑室室管膜下区神经干细胞增殖与迁移的影响

• 作者: 刘志华 刘晶晶 刘莹莹
• 来源期刊: 新乡医学院学报
• 学科: 医学
• 关键词: 神经干细胞 直流电场 增殖 迁移 大鼠
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 1086-1090
• 分类号: R743
• 语种: 中文
• DOI: 10.7683/xxyxyxb.2015.12.007

摘要

目的 观察外加直流电场对脑卒中大鼠侧脑室室管膜下区(SVZ)神经干细胞增殖与迁移的影响,为将直流电场刺激法用于脑修复治疗提供理论依据.方法 将60只Sprague Dawley雄性大鼠随机分为正常对照组、假手术组、假手术+直流电场组、缺血再灌注组和缺血再灌注+直流电场组,每组12只.正常对照组:不做任何特殊处理;假手术组:进行缺血手术操作,不留置线栓但放置电极;缺血再灌注组:仅进行缺血再灌注手术操作;假手术+直流电场组:进行缺血手术操作,并予以直流电场刺激,参数50 μA,每天60 min;缺血再灌注+直流电场组:进行缺血再灌注手术操作,并予以直流电场刺激,参数50μA,每天60 min,各组取材时间为缺血后14 d(6只),缺血后42 d(6只).免疫荧光细胞化学技术检测SVZ神经干细胞的增殖与迁移,尼氏染色方法检测脑缺血区神经元损伤情况,采用动物行为学实验方法检测直流电场刺激后脑卒中动物神经功能恢复状况.结果 与无电场刺激的假手术组和缺血再灌注组相比,直流电场刺激明显增加假手术组和缺血再灌注组神经干细胞在SVZ的增殖(P＜0.05);与无电场刺激的缺血再灌注组相比,直流电场刺激明显增加缺血再灌注组SVZ神经干细胞向缺血区(即电极负极放置方向)迁移(P＜0.05);与无电场刺激的假手术组和缺血再灌注组相比,直流电场刺激明显减轻缺血区神经元损伤(P＜0.05);与无电场刺激的假手术组和缺血再灌注组相比,直流电场刺激明显改善脑卒中动物的神经行为学表现(P＜0.05).结论 直流电场刺激能够明显改善脑卒中动物神经功能的恢复,可用于脑修复治疗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘莹莹	咸宁市中心医院神经内科	2	12	1.0	2.0
2	刘晶晶	咸宁市中心医院神经内科	2	12	1.0	2.0
3	刘志华	咸宁市中心医院神经内科	1	1	1.0	1.0