体声波滤波器的片上测试与性能表征

• 作者: 刘海涛 蔡洵 贺学锋 高杨
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 体声波 滤波器 射频探针台 矢量网络分析仪 低阻硅
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 729-733
• 页数: 5页
• 分类号: TN713|TN751.2
• 字数: 2580字
• 语种: 中文

摘要

为了表征制备的L波段体声波(BAW)滤波器的性能,采用射频探针台和矢量网络分析仪片上测试获得了BAW滤波器的S参数;在ADS软件环境下计算了BAW滤波器的各项性能参数.比较实测与仿真得到的S参数曲线,发现:低阻硅衬底会使BAW滤波器的带内插损显著增加;BAW滤波器中各薄膜体声波谐振器(FBAR)单元的薄膜沉积厚度误差会使BAW滤波器的带内波动偏大,且FBAR薄膜厚度较设计值增大时BAW滤波器的中心频率会向下偏移.以制备的一只BAW滤波器为例,测得其中心频率为1 495 MHz,带宽为17 MHz,带内插损为-46.413 dB,带内波动为2.816 dB,带外抑制为-72.525 dB/-79.356 dB,电压驻波比为1.940.该文给出的BAW滤波器片上测试与性能表征方法具有通用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高杨	中国工程物理研究院电子工程研究所	150	833	13.0	19.0
2	刘海涛	中国工程物理研究院太赫兹科学技术研究中心	23	64	5.0	6.0
3	贺学锋	重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室	16	203	8.0	14.0
4	蔡洵	西南科技大学信息工程学院	17	56	4.0	5.0