磁通门传感器激励电路模型分析

• 作者: 刘文君 刘波 李申高 许振丰
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 磁通门磁力仪 变压器 方波激励
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 页码范围: 2111-2116
• 页数: 6页
• 分类号: TM936.2
• 字数: 4198字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1093.2015.11.014

摘要

为进一步探究三端式磁通门探头工作机理以及激磁过程中磁芯饱和过程变化形态,以变压器耦合原理和探头线圈自感为基础,结合数值分析方法建立含有变压器的三端式磁通门激励电路数学模型.计算结果表明,该数学模型能够较为正确地描述三端式磁通门探头激励过程,解决了以往三端式磁通门数学模型与实际测量结果差异大、可操作性差的问题.所提供的方法将有助于设计与调试人员针对激励电路中元件变化对激磁电流的影响程度进行探究、评估激磁过程中磁芯的饱和程度,也可为变压器参数指标范围的制定提供依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘波		4	16	3.0	4.0
2	刘文君		1	4	1.0	1.0
3	许振丰		1	4	1.0	1.0
4	李申高		1	4	1.0	1.0