1 200 V/30 A SiC MOSFET的结构设计与特性仿真

• 作者: 封先锋 杨勇 杨霏 林涛 臧源 蒲红斌
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET) 特征导通电阻 静态特性
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 大功率电力电子器件
• 页码范围: 1154-1158
• 页数: 5页
• 分类号: TM51
• 字数: 3572字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2015.12.012

摘要

4H-SiC金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)具有开关频率高、功率密度大、耐高温、抗辐照等优点,在军用和民用领域具有广阔的应用前景.针对漏源击穿电压1 200V的设计目标,利用解析模型和数值仿真相结合的优化方法,通过分析元胞结构参数对器件电学特性的影响,确定4H-SiC MOSFET元胞的纵向与横向结构参数.仿真结果表明,优化设计的器件其特征导通电阻为4.75 mΩ·cm2,击穿电压为1 517 V,满足设计指标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林涛	西安理工大学电子工程系	18	40	4.0	5.0
2	杨霏	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	10	18	3.0	4.0
3	蒲红斌	西安理工大学电子工程系	33	119	7.0	9.0
4	杨勇	西安理工大学电子工程系	17	64	4.0	7.0
5	封先锋	西安理工大学电子工程系	22	106	7.0	9.0
6	臧源	西安理工大学电子工程系	4	11	2.0	3.0