超浅结亚45nm MOSFET 亚阈值区二维电势模型

• 作者: 柯导明 韩名君
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超浅结亚45nm MOSFET 二维电势半解析模型 亚阈值电流
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 94-98
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3400字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2015.01.015

摘要

文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域，得到三个区域的定解问题，并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数，首次得到超浅结亚45nm MOSFET的二维电势半解析模型，并给出了亚阈值电流模型。通过与Medici模拟结果对比发现该模型能够准确模拟亚阈值下的超浅结15～45nm MOSFET的二维电势和电流。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子信息工程学院	83	423	10.0	17.0
2	韩名君	安徽大学电子信息工程学院	10	37	4.0	6.0