GaAs／AlGaAs环形激光器的量子阱结构优化

• 作者: 毛陆虹 谢生 郭婧 郭维廉
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 半导体环形激光器 多量子阱 阈值电流
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: ? 激光物理与激光器件?
• 页码范围: 654-657
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2997字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2015.05.014

摘要

为了研究量子阱结构对半导体环形激光器阈值电流的影响，从F－P腔激光器的振荡条件出发，分析了半导体环形激光器的阈值电流密度与量子阱结构参量的函数关系，并推导出最佳量子阱数的表达式。利用器件仿真软件ATLAS建立环形激光器的等效模型，仿真、分析了不同工作温度下，量子阱数、阱厚及势垒厚度对阈值电流的影响。结果表明，阈值电流随量子阱数和阱厚的增加先减小后增大，存在一组最佳值；在确定合适的量子阱数和阱厚后，相对较窄的势垒厚度有助于进一步降低阈值电流；采用GaAs／AlGaAs材料体系和器件结构，其最佳量子阱结构参量为M＝3，dw ＝20nm及db ＝10nm。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	郭维廉	天津大学电子信息工程学院	145	419	10.0	12.0
3	谢生	天津大学电子信息工程学院	68	232	7.0	11.0
4	郭婧	天津大学电子信息工程学院	6	30	4.0	5.0