一种低温度系数带隙基准源设计

• 作者: 王沦 马哲
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 低温度系数 基极电流补偿
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 8-10,14
• 页数: 4页
• 分类号: TN47
• 字数: 1142字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2015.04.003

摘要

采用两个三级管基极－发射极串联的带隙基准可以降低运放失调电压的影响，但是在CMOS 工艺中，三级管的正向电流放大倍数β很小，导致三极管基极电流的分流会对发射极电流产生很大影响，带隙基准输出存在较大温漂。为了解决这个问题，提出了一种带基极电流补偿的低温度系数带隙基准源电路。电路设计采用 TSMC 0．25μm 工艺，经过 spectre 仿真验证，进行－55℃－125℃的温区扫描，基准随温度变化范围为1．85mV，相应的温漂系数为8．44ppm ／℃，加入基极电流补偿电路后电源电流只增加了0．5μA。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王沦	中国电子科技集团公司第四十七研究所	3	6	1.0	2.0
2	马哲	中国电子科技集团公司第四十七研究所	5	23	3.0	4.0