中航微电子研制成功8英寸600V硅基氮化镓功率器件

• 作者: 江安庆
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 INVERTER converter 数码电子 寄生电容 输出电容 输入电容 直接带隙 导通电阻 电子漂移
• 年，卷（期）: bdtxx,（2）
• 页码范围: 6-6
• 页数: 1页
• 分类号: TN386

摘要

【正】中航(重庆)微电子有限公司近日发布了基于硅基氮化镓(GaN-on-Si)晶片的氮化镓(GaN)MISHEMT功率器件N1BH60010A,这是国内首个8英寸GaN功率器件产品,成功实现了600V耐压及10A输出电流,可广泛用于PFC、DC/DC converter、DC/AC inverter等功率电子系统中,针对当下数码电子设备、家