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摘要:
【正】中航(重庆)微电子有限公司近日发布了基于硅基氮化镓(GaN-on-Si)晶片的氮化镓(GaN)MISHEMT功率器件N1BH60010A,这是国内首个8英寸GaN功率器件产品,成功实现了600V耐压及10A输出电流,可广泛用于PFC、DC/DC converter、DC/AC inverter等功率电子系统中,针对当下数码电子设备、家
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文献信息
篇名 中航微电子研制成功8英寸600V硅基氮化镓功率器件
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 氮化镓 INVERTER converter 数码电子 寄生电容 输出电容 输入电容 直接带隙 导通电阻 电子漂移
年,卷(期) bdtxx,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 6-6
页数 1页 分类号 TN386
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研究主题发展历程
节点文献
氮化镓
INVERTER
converter
数码电子
寄生电容
输出电容
输入电容
直接带隙
导通电阻
电子漂移
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
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11
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