InGaN/GaN量子阱太阳能电池研究进展

• 作者: 张保平 赖萌华
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN/GaN量子阱 太阳能电池 氮化物半导体 GaN InGaN
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 电池材料
• 页码范围: 652-664
• 页数: 13页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 9845字
• 语种: 中文
• DOI: 10.6043/j.issn.0438-0479.2015.05.008

摘要

InGaN/GaN量子阱太阳能电池在扩宽氮化物半导体太阳能电池光谱响应和提高电池效率方面有较大优势,近几年来受到了广泛关注.本文回顾了InGaN/GaN量子阱电池发展历程,论述了量子阱区域结构设计和外界条件对InGaN/GaN量子阱电池效率的影响,介绍了为提高InGaN/GaN量子阱电池效率所进行的关键工艺技术研究,总结了实现高效InGaN/GaN量子阱电池需要解决的问题和可能解决方案,为高效InGaN/GaN量子阱电池的实现提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张保平	厦门大学信息科学与技术学院	21	95	5.0	9.0
2	赖萌华	厦门大学信息科学与技术学院	2	6	1.0	2.0