变频器（IGBT）模块炸裂原因浅析

• 作者: 梁伟
• 来源期刊: 工业B
• 学科: 工学
• 关键词: 变频器 IGBT模块 驱动
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 页码范围: 147-147
• 页数: 1页
• 分类号: TM921.51

摘要

IGBT（Insulated?Gate?Bipolar?Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。