深亚微米工艺下SoC多点温度低功耗测试调度方法

• 作者: 焦铬 范双南
• 来源期刊: 电子测量技术
• 学科: 工学
• 关键词: 深亚微米工艺 多点温度 片上系统 低功耗测试调度
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 【传感器及非电量检测技术】
• 页码范围: 67-70
• 页数: 4页
• 分类号: TP391.7
• 字数: 2644字
• 语种: 中文

摘要

在深亚微米技术实现的片上系统中，为了解决由于制程变异引起的温度不确定性，提出了一种多点温度测量的SoC低功耗测试调度方法。该方法采取在芯片中内建多个温度传感器，通过内建的温度传感器来感应温度，在 SoC的核心部位进行多点采集，取温度的最高值反馈到控制系统，进行温度的调节控制。在测试过程中，在温度、功耗和总线带宽都满足条件的情况下进行调度，避免出现由制程变异引起的芯片局部过热的现象。在 ITC’02基准电路上的实验结果表明，与文献[2]比较，该方法在保证芯片热安全的同时，使 CPU 使用时间平均多减少10.33%，使测试应用时间平均多减少11.14%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	焦铬	湖南交通工程学院电气与信息工程系	60	178	7.0	10.0
5	范双南	湖南交通工程学院电气与信息工程系	21	38	3.0	5.0