Al2 O3薄层修饰SiNx绝缘层的IGZO-TFTs器件的性能研究

• 作者: 曲加伟 梁续旭 王红波 穆晓龄 胡守成 赵毅 郭永林
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铟镓锌氧薄膜晶体管 三氧化二铝 氮化硅 最大缺陷态密度
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 947-952
• 页数: 6页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 3526字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153608.0947

摘要

采用原子层沉积工艺( ALD)生长均匀致密的三氧化二铝( Al2 O3)薄层对氮化硅( SiNx )绝缘层进行修饰,研究了铟镓锌氧薄膜晶体管( IGZO-TFTs)器件的性能。当Al2 O3修饰层厚度为4 nm时,绝缘层-有源层界面的最大缺陷态密度相比于未修饰器件降低了17.2%,器件性能得到显著改善。场效应迁移率由1.19 cm2/(V·s)提高到7.11 cm2/(V·s),阈值电压由39.70 V降低到25.37 V,1 h正向偏压应力下的阈值电压漂移量由2.19 V减小到1.41 V。