GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的量子阱参数设计

• 作者: 张世伟 李宁 赵永林 齐利芳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱红外探测器(QWIP) 暗电流 光谱响应 探测率 双色
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 521-524,530
• 分类号: TN304.24|TN362
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.07.009

摘要

量子阱参数如势阱宽度、势垒高度和阱中的掺杂浓度决定了阱中的能级分布及光学吸收,它和量子阱红外探测器(QWIP)的响应波长、暗电流、响应率、探测率等特性参数密切相关.为了使设计的QWIP达到预期的各种性能指标,对其各参量进行了精心设计.运用量子阱的第一激发态与势垒的高度接近时产生共振效应,进行了量子阱的优化设计,得出垒高和阱宽的关系.另外,根据器件光谱响应的要求,利用传输矩阵法计算出相应的量子阱参数.此设计方法在GaAs/AlGaAs长波-长波双色QWIP中得到了较好的验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宁	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	304	5119	38.0	59.0
2	赵永林	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	39	3.0	5.0
3	张世伟	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	13	2.0	3.0
4	齐利芳	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	28	3.0	5.0