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【正】近日,德州仪器推出了业内首款80V、10A集成氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级原型机。此次原型机由位于四方扁平无引线(QFN)封装内的一个高频驱动器和两个采用半桥配置的GaN FET组成,使之非常易于设计。全新的LMG5200GaN FET功率级原型机将有助于加快下一代GaN电源转换解决方案的市场化,此方案为空间有限且高频的工业应用和电信应用提供
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文献信息
篇名 TI发布业内首款80V半桥GaN FET模块
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 半桥 TI GAN FET 首款 功率级 场效应晶体管 电信应用 氮化镓 电源转换 栅极驱动
年,卷(期) bdtxx,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 8-9
页数 2页 分类号 TN386
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研究主题发展历程
节点文献
半桥
TI
GAN
FET
首款
功率级
场效应晶体管
电信应用
氮化镓
电源转换
栅极驱动
研究起点
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期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
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