TI发布业内首款80V半桥GaN FET模块

• 作者: 季建平
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 半桥 TI GAN FET 首款 功率级 场效应晶体管 电信应用 氮化镓 电源转换 栅极驱动
• 年，卷（期）: bdtxx,（2）
• 页码范围: 8-9
• 页数: 2页
• 分类号: TN386

摘要

【正】近日,德州仪器推出了业内首款80V、10A集成氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级原型机。此次原型机由位于四方扁平无引线(QFN)封装内的一个高频驱动器和两个采用半桥配置的GaN FET组成,使之非常易于设计。全新的LMG5200GaN FET功率级原型机将有助于加快下一代GaN电源转换解决方案的市场化,此方案为空间有限且高频的工业应用和电信应用提供